【送料無料】よくわかるパワ-MOSFET／IGBT入門 [ 山崎浩 ]
シリコン系の半導体は高度な集積化が可能であるが、誕生以来耐電圧が低いという宿命を背負い続けている。
現在、ハイブリッド車などに多用されている半導体は耐電圧がおよそ3Vから30Vと低い電圧でしか使えないのだ。
それに風穴をあけるかも知れない半導体としてきたいされているのがシリコンカーバイド。
きょうの朝日朝刊に詳しく報道されていたが、課題は山積している。
原理的に、あるいは実験的に実現可能なことが証明されても量産性がなくては実用に供することはできない、これが先端科学技術の越えなければならないハードルである。
このことは、原発事故以来、絶えず政治的な話題になっている送配電技術の将来にも深く関わっている。
耐電圧の高い半導体素子が出現すると、景観や美観を損ねる電柱や電線といった社会インフラは豹変するかもしれない。
専門的な話は割愛するが、電柱をもっと小さな小箱にできるかも知れないのだ。
現在の、シリコンカーバイドには
歩留まりという生産性上の課題があるが、日本の技術を以って臨めばその命題クリアに10年は要らないと確信している。
2013-04-08 19:27
nice!(0)
コメント(0)
トラックバック(0)
[編集]
![【送料無料】よくわかるパワ-MOSFET／IGBT入門 [ 山崎浩 ]](https://hbb.afl.rakuten.co.jp/hgb/?pc=http%3a%2f%2fthumbnail.image.rakuten.co.jp%2f%400_mall%2fbook%2fcabinet%2f5260%2f52604975.jpg%3f_ex%3d300x300&m=http%3a%2f%2fthumbnail.image.rakuten.co.jp%2f%400_mall%2fbook%2fcabinet%2f5260%2f52604975.jpg%3f_ex%3d80x80)
コメント 0